- Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Аналоги транзистора 2SC2314.
- Справка об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора 2SC2314.
- Коллективный разум.
- Добавить аналог транзистора 2SC2314.
- Другие разделы справочника:
- Параметры транзистора 2SC2314. Интернет-справочник основных параметров транзисторов.
- Основные параметры транзистора 2SC2314 биполярного высокочастотного npn.
- Схемы транзистора 2SC2314
- Коллективный разум. Дополнения для транзистора 2SC2314.
- Другие разделы справочника:
- C2314 транзистор характеристики аналог
- 2SC2314D Datasheet (PDF)
- C2314 транзистор характеристики аналог
- 2SC2314 Datasheet (PDF)
- C2314 транзистор характеристики аналог
- Технические данные (datasheet)
- Цоколёвка
Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Аналоги транзистора 2SC2314.
Главная | О сайте | Теория | Практика | Контакты |
Высказывания: Справка об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора 2SC2314.Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора 2SC2314 . Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора. Можно попробовать заменить транзистор 2SC2314 Коллективный разум.дата записи: 2015-08-27 13:00:08 Добавить аналог транзистора 2SC2314.Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора 2SC2314? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения. Другие разделы справочника:Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Параметры транзистора 2SC2314. Интернет-справочник основных параметров транзисторов. |
Главная | О сайте | Теория | Практика | Контакты |
Высказывания: Основные параметры транзистора 2SC2314 биполярного высокочастотного npn.Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора 2SC2314 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице. Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Производитель: SANYO Схемы транзистора 2SC2314
Обозначение контактов: Коллективный разум. Дополнения для транзистора 2SC2314.Другие разделы справочника:Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». C2314 транзистор характеристики аналогНаименование производителя: 2SC2314D Тип материала: Si Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60 2SC2314D Datasheet (PDF)7.1. 2sc2314.pdf Size:85K _sanyo 7.2. 2sc2314.pdf Size:194K _inchange_semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2314DESCRIPTIONCollector-Emitter Voltage-:V = 75V(Min) ;R =150CER BECollector Current-:I =1.5ACLow Saturation Voltage: V =0.6V(MAX)@ IC=0.5ACE(sat)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower Amplifier ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAM 2SC458 (LG), 2SC2310Silicon NPN EpitaxialApplication Low frequency low noise amplifier Complementary pair with 2SA1031 and 2SA1032OutlineTO-92 (1)1. Emitter2. Collector3. Base3212SC458 (LG), 2SC2310Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol 2SC458 (LG) 2SC2310 UnitCollector to base voltage VCBO 30 55 VCollector to emitter voltage VCEO 30 50 VEmit 8.3. 2sc2316.pdf Size:184K _inchange_semiconductor INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC2316DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-:V = 80(V)(Min.)(BR)CEO100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSeries regulator,switch and general purpose applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNI C2314 транзистор характеристики аналогНаименование производителя: 2SC2314 Тип материала: Si Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60 2SC2314 Datasheet (PDF) ..2. 2sc2314.pdf Size:194K _inchange_semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2314DESCRIPTIONCollector-Emitter Voltage-:V = 75V(Min) ;R =150CER BECollector Current-:I =1.5ACLow Saturation Voltage: V =0.6V(MAX)@ IC=0.5ACE(sat)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower Amplifier ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAM 2SC458 (LG), 2SC2310Silicon NPN EpitaxialApplication Low frequency low noise amplifier Complementary pair with 2SA1031 and 2SA1032OutlineTO-92 (1)1. Emitter2. Collector3. Base3212SC458 (LG), 2SC2310Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol 2SC458 (LG) 2SC2310 UnitCollector to base voltage VCBO 30 55 VCollector to emitter voltage VCEO 30 50 VEmit 8.3. 2sc2316.pdf Size:184K _inchange_semiconductor INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC2316DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-:V = 80(V)(Min.)(BR)CEO100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSeries regulator,switch and general purpose applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNI C2314 транзистор характеристики аналогТранзисторы 2SC2314 и 2SC2314D — высокочастотный (30 МГц > FГР —> типа N-P-N, биполярный, кремниевый, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС | ||||||||||||||||||||||
Транзистор | UКЭ0 / UКБ0 ПРОБ В | IК, МАКС мА | PК, МАКС мВт | h21Э | fгр МГц | Изготовитель | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
мин. | макс. | IК мА | UКЭ В | Название (полное) | Название (сокращённое) | |||||||||||||||||
2SC2314 2SC2314D | 45/75 | 1000 | 750 | 150 | 500 | 5 | 250 | |||||||||||||||
Sanyo Electric Со Ltd | Sanyo Elect |
Цоколёвка
UКЭ0, ПРОБ — напряжение пробоя коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы равном нулю.
UКБ0, ПРОБ — напряжение пробоя коллектор-база биполярного транзистора.
UКЭ — напряжение источника питания биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h21Э.
IК, МАКС — максимально допустимый постоянный коллекторный ток биполярного транзистора.
IК — постоянный коллекторный ток биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h21Э.
h21Э — схема с общим эмиттером — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
fГР — максимальная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.
PК, МАКС — постоянная максимально допустимая мощность рассеиваемая коллектором биполярного транзистора.
* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.
При замене оригинального транзистора аналогом необходимо сравнить технические данные транзисторов и типы корпусов. Решение о замене транзистора аналогом должно приниматься с учётом конкретной схемы в которой он работает.