C546b транзистор характеристики аналог

Наименование производителя: BC546B

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

BC546B Datasheet (PDF)

BC546B, BC547A, B, C,BC548B, CAmplifier TransistorsNPN SiliconFeatureshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are Available*COLLECTOR1MAXIMUM RATINGS2BASERating Symbol Value UnitCollector — Emitter Voltage VCEO VdcBC546 653BC547 45EMITTERBC548 30Collector — Base Voltage VCBO VdcBC546 80BC547 50BC548 30TO-92Emitter — Base Voltage VEBO 6.0 VdcCASE 2

BC546xBK . BC549xBKBC546xBK . BC549xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial Planar TransistorsNPN NPNSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-030.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC546/DAmplifier TransistorsBC546, BNPN SiliconBC547, A, B, CBC548, A, B, CCOLLECTOR12BASE3EMITTER1MAXIMUM RA

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BC546; BC547NPN general purpose transistors1999 Apr 15Product specificationSupersedes data of 1997 Mar 04Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistors BC546; BC547FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 65 V).1 emitter2 baseAPPLICATIONS

Phi I i ps Semi cnduct rsPrduct speci ficat i n Phi l i ps Semi conduct ors Product speci ficat i onNPN generaI purpse t ransi st rsBC546; BC547 NPN gener al purpose t ransist orsBC546; BC547FEATURES PI NNI NG THERMAL CHARACTERI STI CS Low cur r ent (max. 100mA)PINDESCRI PTI ON SYMBOLPARAMETERCONDI TI ONS VALUE UNI T Low vol t age (max. 65 V).1 emi t t er Rthj-a t

BC846/BC546 series65 V, 100 mA NPN general-purpose transistorsRev. 07 17 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN general-purpose transistors in Surface Mounted Device (SMD) plastic packages.Table 1. Product overviewType number[1] Package PNP complementNXP JEITA JEDECBC846 SOT23 — TO-236AB BC856BC846W SOT323 SC-70 — BC856WBC846T SO

BC546/547/548/549/550Switching and Applications High Voltage: BC546, VCEO=65V Low Noise: BC549, BC550 Complement to BC556 . BC560TO-9211. Collector 2. Base 3. EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage : BC546 80 V: BC547/550 50 V: BC548/549 30 VVCE

BC546A/B/CMCCMicro Commercial C omponentsTMBC547A/B/C20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311Phone: (818) 701-4933BC548A/B/CFax: (818) 701-4939FeaturesNPN Silicon Lead Free Finish/RoHS Compliant («P» Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information)Amplifier Transistor Through Hole Package 150 C Junction Tempe

9.7. sbc546.pdf Size:199K _auk

SBC546NPN Silicon TransistorDescriptions PIN Connection General purpose application C Switching application BFeatures High voltage : VCEO=55V E Complementary pair with SBC556 TO-92 Ordering Information Type NO. Marking Package Code SBC546 SBC546 TO-92 Absolute maximum ratings (Ta=25C) Characteristic Symbol Ratings UnitCollector-Base volt

BC546 / BC547 / BC548 NPN Plastic-Encapsulate Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURE G H Power Dissipation 111 1Collector J 2Base 222CLASSIFICATION OF hFE 3Emitter 333A DProduct-Rank BC546A BC546B BC546C Millimeter REF. BMin. Max. Product-Rank BC547A BC547B

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyBC546, A, B, CNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSBC547, A. B, CBC548, A. B, CTO-92Plastic PackageFor Lead Free Parts, Device Part # will be Prefixed with EB «T»CAmplifier TransistorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C)DESCRIPTION SYMBOL BC546 BC547 BC548 UNITSCollector Em

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate TransistorsBC546 / BC547 / BC548 TRANSISTOR (NPN)TO-92 FEATURES High Voltage Complement to BC556,BC557,BC5581. COLLECTOR 2. BASE 3. EMITTER BC546 BC547 BC548 Z XXX Z XXX Z XXX1 1 1Equivalent Circuit BC546,BC547,BC548=Device code Solid dot=Green molding compound device, i

SEMICONDUCTOR BC546/7/8TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION .B CFEATURESHigh Voltage : BC546 VCEO=65V.N DIM MILLIMETERSFor Complementary With PNP Type BC556/557/558.A 4.70 MAXEKG B 4.80 MAXC 3.70 MAXDD 0.45E 1.00F 1.27G 0.85MAXIMUM RATING (Ta=25)H 0.45_H J 14.00 + 0.50CHARACTERISTIC S

BC546/BC547/BC548(NPN)TO-92 Bipolar TransistorsTO-92 1. COLLECTOR 2. BASE 3. EMITTER FeaturesHigh Voltage Complement to BC556,BC557,BC558 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value UnitsCollector-Base Voltage BC546 80 BC547 50 VCBO V BC548 30 Collector-Emitter Voltage BC546 65 VCEO BC547 45 V BC548 30 Dimensions in i

BC546/BC547/BC548(NPN)TO-92 Bipolar TransistorsTO-92 1. COLLECTOR 2. BASE 3. EMITTERFeaturesHigh Voltage Complement to BC556,BC557,BC558 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value UnitsCollector-Base Voltage BC546 80 BC547 50 VCBO V BC548 30 Collector-Emitter Voltage BC546 65 VCEO BC547 45 V BC548 30 6 VEBO Emitter-Ba

BC546, A/BBC547, A/B/CBC548, A/B/CNPN General Purpose Transistor COLLECTOR1TO-922BASE1233EMITTERMaximum Ratings( T =25C unless otherwise noted)ARating Symbol BC546 BC547 BC548 UnitCollector-Emitter Voltage VECO 65 45 30VdcCollector-Base Voltage V 80 50 30 VdcCBOEmitter-Base Voltage VEBO 6 6 6 VdcCollector Current Continuous lC 100mAdcTHERMAL CHA

Источник

Транзистор BC546: параметры, цоколевка, аналог, datasheet

BC546 – биполярный, кремниевый, высокочастотный транзистор малой мощности. Используется для усиления сигналов ЗЧ и радиочастотных каскадах.

Характеристики транзистора BC546

Структура : NPN
Напряжение коллектор-эмиттер U_кэо (max) : 65 В
Напряжение коллектор-база U_кбо (max) : 80 В
Напряжение эмиттер-база U_эбо (max) : 6 В
Допустимый ток коллектора I_к (max) : 0.10 А
Коэффициент усиления транзистора по току hf_э : от 110 до 800
Граничная частота коэффициента передачи тока f_гр : 150.0 МГц
Рассеиваемая мощность коллектора P_к (max) : 0.50 Вт
Диапазон рабочих температур T_max : от -65 до +150 ˚C
Корпус : TO-92

Транзистор BC546 может иметь коэффициент усиления по току от 110 до 800:

BC546A от 110 до 220
BC546B от 200 до 450
BC546C от 420 до 800

Цоколевка транзистора BC546

ВС546 выпускается в пластиковом корпусе ТО-92. Если смотреть на плоскую сторону с выводами, направленными вниз, слева направо — коллектор, база, эмиттер.

Габаритные и установочные размеры транзистора BC546

Аналог транзистора BC546

Вы можете заменить BC546 на: BC547.

Комплементарной парой BC546 является транзистор BC556.

SMD версия BC546: BC846 (SOT-23), BC846W (SOT-323).

Источник

Транзисторы BC546, BC547, BC548, BC549, BC550.

Транзисторы BC546, BC547, BC548, BC549, BC550
с буквами A, B, C.

Т ранзисторы BC546 — BC550 — кремниевые, высокочастотные усилительные общего назначения, структуры — n-p-n.
Корпус пластиковый TO-92B. Маркировка буквенно — цифровая.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) — 500 мВт.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером — 300 МГц;

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — У транзисторов BC546 65в.
У транзисторов BC547, BC550 45в.
У транзисторов BC548, BC549 30в.

Максимальное напряжение коллектор — база — У транзисторов BC546 80в.
У транзисторов BC547, BC550 50в.
У транзисторов BC548, BC549 30в.

Максимальное напряжение эмиттер — база — У транзисторов BC546, BC547 6в.
У транзисторов BC548, BC549, BC550 5в.

Коэффициент передачи тока:
У транзисторов BC546A, BC547A, BC548A, BC549A, BC550A — от 110 до 220.
У транзисторов BC546B, BC547B, BC548B, BC549B, BC550B — от 200 до 450.
У транзисторов BC546C, BC547C, BC548C, BC549C, BC550C — от 420 до 800.

Максимальный постоянный ток коллектора — 100 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора100мА, базы 5мА — не выше 0,6в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5мА — 0,9в.

Транзисторы BC546, BC547, BC548, BC549, BC550 в западном мире столь же популярны, как были популярны в Советском Союзе в свое время — КТ315.
Сравнивать напрямую эти транзисторы было бы совершенно некорректно, более поздняя западная разработка конечно, намного совершенней.

BC547, BC548 иногда(в малосигнальных каскадах УЗЧ) можно заменить КТ3102А, Б, Г( и почти всегда — наоборот).
BC549 меняется на КТ3102Д, Е.
Нужно учитывать что КТ3102 имеют более низкую мощность рассеиваемую коллектором и уступают по предельной частоте передачи тока.

BC546, BC547, BC548, BC549, BC550 встречаются в самых различных схемах.
Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой частоты, так и в радиочастотных каскадах.
Пример — популярная схема переговорного устройства(уоки — токи) на 27мГц.

Схема состоит из двух компонентов — LC генератора(емкостная трехточка) на частоту 27мГц и усилителя звуковой частоты с двухтактным выходным каскадом.
Режимы прием — передача переключаются с помощью переключателя В1. В режиме передачи миниатюрный громкоговоритель переключается с выхода УЗЧ на вход и используется как динамический микрофон. Усиленный сигнал поступает на генератор 27мГц, производя модуляцию основной частоты.

В режиме приема схема работает как сверхрегнератор с очень большим усилением радиосигнала и прямым преобразованием его модуляции в сигнал звуковой частоты, после усиления в УЗЧ поступающий на громкоговоритель. В LC генераторе применен BC547(VT1), в усилителе звуковой частоты два BC547(VT2 — VT5) и два комплементарных BC557(VT3 — VT4). Все транзисторы лучше брать с буквой C(коэфф. усиления от 450).
Резисторы можно взять любого типа с мощностью от 0,1 ватта, за исключением R3 — его мощность должна быть не менее 0,25 ватт.

Конденсаторы C1 — C11 слюдяные, C12 — C13 — оксидные(электролитические), любого типа.
Катушка генератора L1 — 4 витка провода ПЭЛ -0,25 с отводом от одного витка, намотанная на каркасе диаметром 0,4 см, с подстроечным стержнем из феррита(от малогаб. импортного приемника).
Катушка L2 — 1,5 витка на том же каркасе, тем же проводом.
Антенной служит безкаркасная катушка — пружина диаметром 0,5 см содержащая 160 — 170 плотно намотанных витков провода ПЭВ 0,5 (виток, к витку). Длина такой антенны получается от 8 до 10см.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Источник

C546b транзистор характеристики аналог

Транзистор BC546

Цоколевка транзистора BC546

Характеристики транзистора BC546

Комплементарная пара BC546

Аналоги транзистора BC546