Irfp260 транзистор характеристики на русском языке все

Наименование прибора: IRFP260

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 280 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 46 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 230(max) nC

Время нарастания (tr): 120 ns

Выходная емкость (Cd): 1200 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.055 Ohm

IRFP260 Datasheet (PDF)

..1. irfp260pbf.pdf Size:1340K _international_rectifier

PD- 95915IRFP260PbF Lead-Free9/27/04Document Number: 91215 www.vishay.com1IRFP260PbFDocument Number: 91215 www.vishay.com2IRFP260PbFDocument Number: 91215 www.vishay.com3IRFP260PbFDocument Number: 91215 www.vishay.com4IRFP260PbFDocument Number: 91215 www.vishay.com5IRFP260PbFDocument Number: 91215 www.vishay.com6IRFP260PbFPeak Diode Recovery

..2. irfp260.pdf Size:168K _international_rectifier

IRFP260, SiHFP260Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.055RoHS* Isolated Central Mounting HoleQg (Max.) (nC) 230COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 42 Ease of ParallelingQgd (nC) 110 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Comp

..4. irfp260.pdf Size:399K _inchange_semiconductor

iscN-Channel MOSFET Transistor IRFP260FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) 55m @V =10VGSEnhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER

0.1. auirfp2602.pdf Size:207K _international_rectifier

PD — 96420AUTOMOTIVE GRADEAUIRFP2602HEXFET Power MOSFETFeatures Advanced Process TechnologyDV(BR)DSS 24V Low On-Resistance 175C Operating Temperature RDS(on) typ. 1.25m Fast Switching max. 1.6m Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax G Lead-Free, RoHS CompliantID (Silicon Limited) 380A Automotive Qualified *SID (Package Limited) 180A Description

0.2. irfp260n.pdf Size:122K _international_rectifier

PD — 94004AIRFP260NHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 200V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 0.04G Fully Avalanche Rated Ease of ParallelingID = 50AS Simple Drive RequirementsDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extreme

0.3. irfp260npbf.pdf Size:180K _international_rectifier

PD — 95010AIRFP260NPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Dynamic dv/dt RatingVDSS = 200Vl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 0.04l Fully Avalanche RatedGl Ease of ParallelingID = 50Al Simple Drive RequirementsSl Lead-FreeDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilizeadvanced processing techni

0.4. irfp260mpbf.pdf Size:634K _international_rectifier

PD — 96293IRFP260MPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Dynamic dv/dt RatingVDSS = 200Vl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 0.04l Fully Avalanche RatedGl Ease of ParallelingID = 50Al Simple Drive RequirementsSl Lead-FreeDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processingtechniq

0.5. irfp260npbf.pdf Size:180K _infineon

PD — 95010AIRFP260NPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Dynamic dv/dt RatingVDSS = 200Vl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 0.04l Fully Avalanche RatedGl Ease of ParallelingID = 50Al Simple Drive RequirementsSl Lead-FreeDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilizeadvanced processing techni

0.6. irfp260mpbf.pdf Size:634K _infineon

PD — 96293IRFP260MPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Dynamic dv/dt RatingVDSS = 200Vl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 0.04l Fully Avalanche RatedGl Ease of ParallelingID = 50Al Simple Drive RequirementsSl Lead-FreeDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processingtechniq

0.7. irfp260m.pdf Size:247K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFP260MIIRFP260MFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)40mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh Speed Power SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Dr

0.8. irfp260n.pdf Size:242K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFP260NIIRFP260NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)40mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingFully Avalanche RatedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VAL

0.9. irfp260npbf.pdf Size:212K _inchange_semiconductor

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IRFP260NPBFFEATURESWith TO-247 packagingEase of parallelingHigh speed switchingHard switched and high frequency circuits100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMB

Источник

Характеристики транзистора IRFP260N

В этой статье изложены основные характеристики полевого N-канального МОП (MOSFET) транзистора IRFP260N. Использование технологии HEXFET 5-го поколения с защитой от электростатических разрядов обеспечивает минимальное сопротивление кремниевого канала. Надёжность в сочетании с высоким показателем быстродействия во время переключений позволяет использовать его в стабилизаторах, преобразователях, регуляторах. Также встречается во вторичных, импульсных источниках электропитания, схемах управления электродвигателями, управляющих блоках и узлах радиоэлектроники.

Распиновка

Транзистор IRFP260N выполнен в пластиковом корпусом TO-247, цоколевка предоставлена ниже. Отметим что в него уже встроен радиатор.

Характеристики

Перед использованием любого транзистора, необходимо ознакомиться с условиями его работы и основными параметрами. Превышение максимально допустимых значений быстро выведет его из строя или вызовет ошибку общего функционирования микросхемы, в которой он применён.

Сперва ознакомимся с предельными характеристиками IRFP260N:

• максимальная рассеиваемая мощность: P_d – 300 Вт;
• предельно допустимое напряжение сток-исток (напряжение пробоя): U_DS – 200 В;
• предельно допустимое напряжение затвор-исток: U_GS – 20 B;
• максимально допустимый постоянный ток стока: I_D – 49 A;
• заряд затвора: Q_G – 156 нКл;
• статическое сопротивление сток-исток в открытом состоянии транзистора: R_DS – 0.04 Oм.

Другие электрические показатели также важны при проектировании схемы. Они могут отличаться в зависимости от режима работы транзистора или условий окружающей среды. Далее приведены результаты измерения в нормальных условиях при температуре +25 °C.

Тепловые характеристики

Чем выше ток во время работы транзистора, тем больше он нагревается. При выходе за границы рабочих температур также может случится поломка.

• Тепловое сопротивление кристалл-среда (R_jA) зависит от элементов охлаждения или их отсутствия.
• Общее теплосопротивление – 0,5 К/Вт. Общий диапазон рабочих температур: от -55 °C до +175 °C.

Аналоги

Транзистор IRFP260N уникален в своём роде, и имеет только один полный аналог:

Замена в аппаратуре этих элементов друг другом производится без внесения изменений в существующую электрическую схему. Такую возможность обеспечивает совпадение выводов и корпуса, а также электрических и функциональных характеристик.

Производители и Datasheet

У IRFP2620N больше дистрибьюторов, чем производителей. При продаже могут указываться разные компании, но они предоставляют datasheet разработчика (IR):

Оригинальные устройства от International Rectifier довольно распространены на российском рынке.

Источник

Транзистор IRFP260N

Технические характеристики транзистор IRFP260N говорят о том что, это N – канальное, MOSFET (МОП) устройство, изготовленным по новой HEXFET технологии пятого поколения. Данная разработка позволяет добиться чрезвычайно низкого сопротивления кремниевого канала. Это преимущество, в сочетании с высокой скоростью переключения и большой мощностью, предоставляет разработчику чрезвычайно эффективное и надежный компонент для использования во многих устройствах.

Распиновка

Цоколевка IRFP260N производится в корпусе TO-247, так как из-за большой мощности для него нельзя использовать TO-220. Расположение выводов транзистора можно посмотреть на рисунке ниже. Здесь цифрой 1 обозначен затвор, 2 – сток, 3 – исток. Ни одна фирма-производитель не использует другие корпуса для этого транзистора.

Технические характеристики

Прежде чем начать применять транзистор любой разработчик должен в первую очередь ознакомиться с его предельно допустимыми величинами. Эти данные также важны при выборе замены для вышедшего из строя устройства. Правильно подобранный прибор с подходящими параметрами прослужит долго. Производственные значения при которых он работает должны быть меньше максимально возможных. IRFP260N имеет следующие характеристики:

• предельно возможное отпирающее напряжение между затвором и истоком (V_GS) — ±20 В;
• наибольший допустимый постоянный ток стока при температуре +25 О С (I_D) – 50 А;
• предельно возможный постоянный ток стока при температуре +100 О С (I_D) – 35 А;
• максимально допустимый пиковый (импульсный) ток стока (I_DМ) — 200 А;
• наибольшая возможная рассеиваемая мощность (P_D) — 300 Вт;
• максимальная энергия единичного импульса на стоке – 560 мДж;
• рабочая температура (T_J) от — 55 до +175 °C;
• наибольший импульс на восстанавливающемся диоде dv/dt – 10 В/нс;
• предельная температура пайки (максимум 10 секунд) – 300 (на расстоянии 1,6 миллиметра от корпуса);
• допустимый пиковый неповторяющийся ток, допустимый в лавинных условиях (I_AR) – 50 А;

Чтобы правильно подобрать транзистор для какой-то схемы нужно знать не только предельно значения прибора, но и его электрические характеристики. Эти данные можно найти в технической документации фирмы выпускающей изделия, они обычно находятся сразу за максимально возможными параметрами. Измерения проводились при температуре +25 О С. Другие важные условия проведения тестирования можно узнать из специального столбца в таблице, который озаглавлен «Режимы измерения».

Если транзистор будут постоянно работать при больших токах, он будет выделять много тепла. Чтобы прибор не перегрелся его нужно отводить с помощью системы охлаждения. Для ее расчета необходимо знать тепловые параметры, они показывают, на сколько градусов увеличится температура прибора при увеличении мощности рассеиваемой на транзисторе.

Температуру кристалла находится по формуле:

R_θJA — тепловое сопротивление «переход-среда» зависит от типа печатной платы и наличия системы охлаждения.

T_a – температура окружающего воздуха

Р – мощность которая рассеивается на приборе в данный момент времени.

Аналоги

Транзистор irfp260n имеет только один аналог – STW40N20. Отечественная промышленность не выпускает подобной продукции.

Производители

DataSheet транзистор irfp260n можно найти у официальных зарубежные производителей: International Rectifier, Inchange Semiconductor.

Источник

Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора IRFP260N.

Главная

О сайте

Теория

Практика

Контакты

Высказывания: Великое искусство быть приятным в разговоре — вести его так, чтобы другие были довольны собой. Саади Основные параметры полевого n-канального транзистора IRFP260N Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого n-канального транзистора IRFP260N . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Тип канала: n-канал Структура (технология): Pd max, мВт Uds max, В Udg max, В Ugs max, В Id max, мА Tj max, °C Fr (T on/of) Ciss tip, пФ Rds, Ом 300000 200 — 20 49000 175 — — 0,04 Производитель: International Rectifier Сфера применения: Популярность: 8431 Дополнительные параметры транзистора IRFP260N: Корпус: TO-247AC; Rth: 0,5°C; Qg: 156нКл; Qgd: 73,3нКл; Условные обозначения описаны на странице «Теория». Схемы транзистора IRFP260N Общий вид транзистора IRFP260N. Цоколевка транзистора IRFP260N. Обозначение контактов: Международное: G — затвор, D — сток, S — исток. Российское: З — затвор, С — сток, И — исток. Дата создания страницы: 2016-03-21 11:31:45; Пользователь: . Коллективный разум. Дополнения для транзистора IRFP260N. Дополнение: Ток максимальный 50А Дата добавления: 2016-06-08 07:43:47; Пользователь: . Комментарий к рисунку: Цоколевка транзистора IRFP260N Дата добавления: 2016-06-08 07:41:37; Пользователь: Без имени. Другие разделы справочника: Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество. Источник Оцените статью Вам также может понравиться Как выбрать Powerbank? Power Bank служит резервным источником электроэнергии. Как много мы экономим на энергоэффективных технологиях? Человечество активно потребляет энергоэффективные технологии Сетевой фильтр Необходима ли действительно защита от перепадов напряжения Правообладателям Политика конфиденциальности Контакты Adblock detector