Маркировка транзисторов кт 814

Транзистор КТ814

Транзистор КТ814 – кремниевый эпитаксиально-планарный низкочастотный, мощный биполярный транзистор с p-n-p структурой. Предназначен для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Цоколевка транзистора КТ814

Существует 2 вида маркировки транзистора КТ814:
1. Не кодированная. На корпусе указывают полное название транзистора.
2. Кодированная четырехзначная маркировка. Первый знак для КТ814 цифра 4, второй знак – буква указывающая класс. Два последних символа означают месяц и год выпуска.
4А – КТ814А
4Б – КТ814Б
4В – КТ814В
4Г – КТ814Г

Характеристики транзистора КТ814

Транзистор Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), А Pкmax(т), Вт h21э fгр., МГц
КТ814А 40 25 1,5 (3) 10 40 3
КТ814Б 50 40 1,5 (3) 10 40 3
КТ814В 70 60 1,5 (3) 10 40 3
КТ814Г 100 80 1,5 (3) 10 30 3

Uкбо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax(и) — Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора
Pкmax(т) — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)
h21э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
fгр — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером

Аналоги транзистора КТ814

КТ814Б: BD136
КТ814В: BD138
КТ814Г: BD140

Источник

Транзисторы КТ814 и КТ827.

Транзисторы КТ814

Т ранзисторы КТ814 — кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры — p-n-p.
Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.
Масса — около 0,7 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная — в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ814 цифра 4, второй знак — буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ814.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока У транзисторов КТ814А, КТ814Б, КТ814В — от 40
У транзисторов КТ814Г — 30

Граничная частота передачи тока.3МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзисторов КТ814А — 25 в.
У транзисторов КТ814Б — 40 в.
У транзисторов КТ814В — 60 в.
У транзисторов КТ814Г — 80 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный). У всех транзисторов КТ814 — 1,5 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А — 0,6 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А — 1,2 в.

Рассеиваемая мощность коллектора. — 10 Вт(с радиатором).

Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 40в и температуре окружающей среды не превышающей +25 по Цельсию не более — 50 мкА.

Вам понравится:  Выключатель автоматический ва47 100 с80

Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5в при частоте 465 КГц не более — 75 пФ.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-эмиттер 5в при частоте 465 КГц не более — 60 пФ.

Транзистор комплементарный КТ814 — КТ815.

Транзисторы КТ827

Транзисторы КТ827 — кремниевые, мощные, низкочастотные,составные(схема Дарлингтона) структуры — n-p-n.
Корпус металло-стекляный(ТО-3). Применяются в усилительных и генераторных схемах.

Внешний вид и расположение выводов на рисунке:

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока — У транзисторов КТ827А — от 500 до 18000.
У транзисторов КТ827Б, КТ827В — от 750 до 18000.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов КТ827А — 100в.
У транзисторов КТ827Б — 80в.
У транзисторов КТ827В — 60в.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 10А и базовом 40мА до 2-х в, при типовом значении — 1,75в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 10 А и базовом 200мА до — 4-х в, при типовом значении — 3 в.

Максимальный ток коллектора20 А.

Рассеиваемая мощность коллектора125 Вт(с радиатором).

Граничная частота передачи тока4МГц.

Обратный ток коллектор-эмиттер при сопротивлении база-эмиттер 1кОм и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию не более — 3 мА.

Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 5в не более — 2 мА.

Емкость эмиттерного перехода при напряжении база-эмиттер 5в — не более 350 пФ.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10в не более — 400 пФ.

Транзистор комплементарный КТ827 — КТ825.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Источник

Характеристики транзистора КТ814

Технические характеристики биполярного транзистора серии КТ814 позволяют использовать их в УНЧ, ОУ, преобразователях, различных импульсных схемах. Все они имеют структуру p-n-p. Эти кремниевые устройства производят по эпитаксиально-планарной технологии и отличаются высокой мощностью.

Цоколевка

Рассматривать цоколевку КТ814 будем в пластмассовом корпусе КТ-27 (ТО-126) в котором вся серия выпускается, он имеют три гибких вывода. Ножки расположены в следующем порядке (слева направо):

Их вид, геометрические размеры и распиновка представлены на рисунке.

Технические характеристики

Производители, в своей документации, указывают предельно допустимые параметры своего изделия. Схемы при которых работает устройство, не должны их превышать. Также вредна работа при значениях близких к максимальным.

Предельные характеристики КТ814:

  • напряжение К-Э постоянное (IБ = 0 А):
  • КТ814А – 25 В;
  • КТ814Б – 40 В;
  • КТ814В – 60 В;
  • КТ814Г – 80 В.
  • разность потенциалов Б-Э длительная – 5 В;
  • ток К длительный – 1,5 А;
  • кратковременный ток К – 3 А;
  • ток базы длительный – 0,5 А;
  • мощность (присутствует теплоотвод) – 10 Вт;
  • мощность (отсутствует теплоотвод) – 1 Вт;
  • максимальна т-ра кристалла – 298 К;
  • рабочая т-ра – от 233 до 373 К.

Дальше идут электрические параметры. Их тестирование производится при т-ре + 25 О С. Другие, важные для проведения измерений, значения приведены в следующей таблице.

Параметры Транзисторы Режимы тестирования min max Ед. изм
Граничная разность потенциалов А IЭ = 50 мА, tи ≤ 300 мкс, Q ≥ 100 25 В
Б 40 В
В 60 В
Г 80 В
Разность потенциалов (нас.) К-Э IК = 0,5 А, IБ = 0,05 А 0,6 В
Разность потенциалов (нас.) Б-Э IК = 0,5 А, IБ = 0,05 А 1,2 В
Статический к-т усиление с ОЭ А -В UКБ = 2 В, IЭ = 0,15 А 40
Г 30
Граничная частота UКЭ = 5 В, IЭ = 0,03 А 3 МГц
Ёмкость на коллекторе UКЭ = 5 В, f = 465 кГц 60 пФ
Ёмкость на эмиттере UКЭ = 5 В, f = 465 кГц 75 пФ
Обратный ток К UКБ = 40 В, ТК ≤ 298 К 50 мкА
UКБ = 40 В, ТК = 373 К 1000 мкА
Вам понравится:  Как подобрать аналог транзистора мосфет

Применение

На КТ814 можно собрать сенсорный выключатель, который будет работать от электрической сети 220 В. С его помощью можно включать и отключать нагрузку мощностью до 60 Вт.

В качестве сенсора Е1 используется пластина из жести размером с пятирублевую монету. Если его коснуться, то наведённое переменное напряжение появится на затворе транзистора VT1 и откроет его. Появиться положительный импульс на 3 выводе микросхемы DD1, и триггер изменит своё состояние.

Когда на выходе DD1 логический 0 (низкое напряжение), транзистор VT2 будет закрыт и ток в нагрузке отсутствует. При появлении на выходе DD1 высокого напряжения транзистор открывается и переводит тиристор VS1 в открытое состояние и через него ток начинает течь через нагрузку.

  • Вместо стабилитрона VD1 установить: КС175А, Д808 или Д814А.
  • В качестве выпрямительных диодов можно VD2 – VD5 использовать: Д226В, КД258Б.
  • Заменить транзистор VT2 можно любым т-ром серий КТ940 и КТ630.

Аналоги

Перечислим аналоги транзисторов серии КТ814:

  • КТ814А: TIP30;
  • КТ814Б: BD136, MJE710;
  • КТ814В: BD138, MJE711;
  • КТ814Г: BD140,

Комплементарной парой для КТ814 является транзистор КТ815.

Производители

Производством КТ814 занимаются 2 российских компании. Это акционерное общество «НПП Завод Искра», которое находится в г. Ульяновске и входит в холдинг «Концерн Алмаз – Антей». А также акционерное общество «Кремний», расположенное в г. Брянск. В Белоруссии его выпускает акционерное общество «ИНТЕГРАЛ» г. Минск.

Источник

Транзистор КТ814: характеристики и аналоги

Технические характеристики биполярных транзисторов КТ814 позволяют использовать их в разнообразных схемах. В основном в усилителях звуковой частоты, преобразователях, а также в качестве силовых ключей. В советский период они были очень популярны и широко распространены, особенно в середине 80-х и начале 90-х годов. Производство было налажено на Брянском заводе полупроводников, а в последующем и на белорусском предприятии «Транзистор», которое выпускает его по настоящее время.

Возможно это один из самых массовых и востребованных полупроводниковых триод для своего времени. Производится по эпитаксиально-планарной технологии. Имеет кремниевую PNP-структуру.

Распиновка

Цоколевка кремниевых транзисторов КТ814 зависит от корпуса, в котором он расположен. Чаще всего данную серию производят в стандартных пластиковых упаковках ТО-126 (российский аналог — КТ-27). Устройство имеет три гибких вывода, расположенных в следующем порядке (слева направо): эмиттер (Э), коллектор (К), база (б). Внешний вид, размеры и распиновка представлены на рисунке.

На белорусском «Интеграл» в настоящее время выпускают КТ814 (в пластмассой упаковке КТ-89, ТО-252/DPAK) для SMD-монтажа на плату.

Вам понравится:  На конденсаторе написано 100 пф 300

Технические характеристики

Для своих габаритов, серия КТ814 имеет неплохие характеристики, позволяющие уверено справляется с достаточно высокими напряжениями в пределах от 25 до 80 В и коллекторным постоянными током до 1.5 А (импульсным до 3 А). Для подчёркивания предельно допустимых значений эксплуатационных параметров, производитель проводит отбраковку изделий пред выпуском. В ходе неё каждому транзистору присваивается группа от «А» до «Г» (у белорусского предприятия «Интеграл»: А9, Б9, В9, Г9), которая в последующем присутствует в его маркировке.

Максимальные значения параметров

Рассмотрим максимальные значения эксплуатационных параметров КТ814, в зависимости от группы. Таким образом они представлены в техническом описании (datasheet) на изделие. Данные приведены с учётом требований к температуре окружающей среды (ТА) – не более +25 o С.

Максимальные значения для серии КТ814 по группам (при ТА до +25 o С):

  • напряжение между выводами: К-Э (UКЭmax) при RЭБ до 100 Ом: КТ814А (А9) до 25 В; КТ814Б (Б9) до 40 В; КТ814В (В9) до 60 В; КТ814Г (Г9) до 80 В. Б-Э (UКбmax) до 5 В;
  • токи постоянные: коллекторный (I Кmax) до 1.5 А; импульсный через коллектор (I КИmax) до 3.0 А; для базы (I Бmax) до 0.5 А;
  • мощность рассеиваемая (Pк max) до 1.0 Вт; до 10 Вт (при использовании радиатора);
  • предельная температура кристалла до +150 o C;
  • интервал рабочих температур от -60 до +125 o C.

Не допускается эксплуатация при более высоких значениях характеристик, так как полупроводниковое устройство может выйти из строя.

Электрические значения параметров

Электрические (номинальные) значения параметров показаны ниже в табличном виде. Режимы измерения представлены в отдельном столбце. Все величины указаны с учётом температуры внешней среды до +25 o С.

Комплиментарная пара

Для работы в дифференциальных каскадах усиления специально для КТ814 была разработана комплементарная пара КТ815. По значениям параметров данный транзистор очень похож на рассматриваемый, однако имеет противоположную NPN-структуру кристалла. Информация об этом представлена во всех datasheet.

Аналоги

В 80-90-е годы подобрать для КТ814 аналог, тем более зарубежный, было достаточно сложно. В настоящее время с этим проблем нет. В старой советской технике его благополучно меняют на следующие виды транзисторов:

  • КТ814А(А9): TIP30;
  • КТ814Б(Б9): BD136, MJE710;
  • КТ814В(В9): BD138, MJE711;
  • КТ814Г(Г9): BD140.

Об возможности такой замены даже указано в datasheet некоторых производителей.

Применение в УНЧ

Как уже писалось ранее, одним из вариантов применения рассматриваемого советского транзистора является усиление сигналов низкой частоты. Используя небольшое количество обвязки и его комплементарную пару КТ815 можно собрать простой маломощный стереоусилитель АБ-класса.

Производители

В настоящее время производство транзистора продолжается на двух российских предприятиях. Это акционерное общество «НПП Завод Искра», которое находится в г. Ульяновске и входит в холдинг «Концерн Алмаз – Антей». А также акционерное общество «Кремний», расположенное в г. Брянск. В белоруссии его выпускают в г.Минск, АО «Интеграл».

Полное техническое описание (datasheet) на КТ814 можно скачать по ссылкам 1,2. Данные на устройство из отраслевого каталога здесь.

Источник

Оцените статью
Частотные преобразователи