Mje13007 транзистор характеристики аналоги

Содержание

Mje13007 транзистор характеристики аналоги
MJE13007 Datasheet (PDF)
Характеристики транзистора MJE13007
Цоколевка
Технические характеристики
Аналоги
Производители и Datsheet

Mje13007 транзистор характеристики аналоги

Наименование производителя: MJE13007

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 110 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8

MJE13007 Datasheet (PDF)

..1. mje13007.pdf Size:337K _motorola

Order this documentMOTOROLAby MJE13007/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAMJE13007MJF13007Designer’s Data SheetSWITCHMODENPN Bipolar Power TransistorPOWER TRANSISTORFor Switching Power

MJE13007 SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE NPN TRANSISTOR HIGH CURRENT CAPABILITYAPPLICATIONS SWITCHING REGULATORS MOTOR CONTROLDESCRIPTION32The MJE13007 is a silicon multiepitaxial mesa1NPN power transistor mounted in Jedec TO-220plastic package.TO-220It is are inteded for use in motor control, switchingregulators etc.INTE

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MJE13007 NPN SILICON TRANSISTOR NPN BIPOLAR POWER TRANSISTOR FOR SWITCHING POWER SUPPLY APPLICATIONS DESCRIPTION The UTC MJE13007 is designed for high-voltage, high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. It is particularly suited for 115 and 220 V switch mode applications. FEATURES * VCEO(SUS) 400V * 7

SEMICONDUCTOR MJE13007TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTORSWITCHING REGULATOR APPLICATION.HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATION.HIGH SPEED DC-DC CONVERTER APPLICATION.FEATURESExcellent Switching Times: ton=1.6 S(Max.), at IC=5AS(Max.), tf=0.7High Collector Voltage : VCBO=700V.MAXIMUM RATING (Ta=25)CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITVCBOCollector-Base Vol

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationNPN MJE /MJE SERIES TRANSISTORS MJE13007NPN MJE /MJE SERIES TRANSISTORS MJE13007NPN MJE

MJE13007A SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE NPN TRANSISTOR HIGH CURRENT CAPABILITY APPLICATIONS SWITCHING REGULATORS MOTOR CONTROL DESCRIPTION 3The MJE13007A is silicon multiepitaxial mesa 21NPN power transistor mounted in Jedec TO-220plastic package.TO-220They are inteded for use in motor control,switching regulators etc.INTER

MJE13007GSWITCHMODEtNPN Bipolar Power TransistorFor Switching Power Supply ApplicationsThe MJE13007G is designed for high-voltage, high-speed powerhttp://onsemi.comswitching inductive circuits where fall time is critical. It is particularlysuited for 115 and 220 V SWITCHMODE applications such asSwitching Regulators, Inverters, Motor Controls, Solenoid/Relay POWER TRANSISTORdri

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MJE13007-M NPN SILICON TRANSISTOR NPN BIPOLAR POWER TRANSISTOR FOR SWITCHING POWER SUPPLY APPLICATIONS DESCRIPTION The UTC MJE13007-M is designed for high-voltage andhigh-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. It is particularly suited for 115 and 220 V switch mode applications. FEATURES * VCEO(SUS) 400V

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MJE13007D NPN SILICON TRANSISTOR NPN BIPOLAR POWER TRANSISTOR FOR SWITCHING POWER SUPPLY APPLICATIONS DESCRIPTION The UTC MJE13007D is designed for high-voltage,high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. It is particularly suited for 115 and 220 V switch mode applications. FEATURES * VCEO(SUS) 400V * 70

SEMICONDUCTOR MJE13007FTECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTORSWITCHING REGULATOR APPLICATION.HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATION.HIGH SPEED DC-DC CONVERTER APPLICATION.FEATURESExcellent Switching Times: ton=1.6 S(Max.), at IC=5AS(Max.), tf=0.7High Collector Voltage : VCBO=700V.MAXIMUM RATING (Ta=25)CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITVCBOCollector-Base Vo

Spec. No. : HE200501 HI-SINCERITY Issued Date : 2005.06.01 Revised Date : 2007.03.06 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 HMJE13007A NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description High Voltage, High Speed Power Switch TO-220 Switch Regulators PWM Inverters and Motor Controls Solenoid and Relay Drivers Deflection Circuits Absolute Maximum Ratings (

Spec. No. : HE200207 HI-SINCERITY Issued Date : 1993.04.12 Revised Date : 2007.03.06 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 HMJE13007 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description High Voltage, High Speed Power Switch TO-220 Switch Regulators PWM Inverters and Motor Controls Solenoid and Relay Drivers Deflection Circuits Absolute Maximum Ratings (T

0.9. mje13007m.pdf Size:221K _sisemi

0.10. mje13007a.pdf Size:256K _sisemi

0.11. mje13007x7.pdf Size:455K _blue-rocket-elect

MJE13007X7(BR3DD13007X7R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 NPN Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package. / Features , High voltage capability, high speed switching. / Applications High frequency electronic lightin

0.12. mje13007x9.pdf Size:447K _blue-rocket-elect

MJE13007X9(BR3DD13007X9P) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-3P NPN Silicon NPN Transistor in a TO-3P Plastic Package. / Features High Speed Switching / Applications High frequency electronic lighting, switching power supply applications.

0.13. mje13007hv7.pdf Size:506K _blue-rocket-elect

MJE13007HV7(BR3DD13007HV7R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 NPN Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package. / Features , High voltage capability, high speed switching. / Applications High frequency electronic light

0.14. mje13007v8.pdf Size:439K _blue-rocket-elect

MJE13007V8(BR3DD13007V8F) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F NPN Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package. / Features , High voltage capability, high speed switching. / Applications High frequency electronic lighting ballast applications.

0.15. mje13007x8.pdf Size:441K _blue-rocket-elect

MJE13007X8(BR3DD13007X8F) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F NPN Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package. / Features , High voltage capability, high speed switching. / Applications High frequency electronic light

0.16. mje13007v9.pdf Size:456K _blue-rocket-elect

MJE13007V9(BR3DD13007V9P) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-3P NPN Silicon NPN Transistor in a TO-3P Plastic Package. / Features High Speed Switching / Applications High frequency electronic lighting ballast applications. / Equivalent Circuit

0.17. mje13007f.pdf Size:286K _first_silicon

SEMICONDUCTORMJE13007FTECHNICAL DATAC MJE13007F ATRANSISTOR (NPN) SWITCHING REGULATOR APPLICATION.HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATION. E DIM MILLIMETERS_A 10 16 0 20+HIGH SPEED DC-DC CONVERTER APPLICATION._B 15 00 0 20+_C 3 00 0 20+FLUORESCENT LIGHT BALLASTOR APPLICATION.D 0 6250 125E 3 50 typF 2 7 typ_G 16 80 0 4+LMFEATURES _H 0 45 0 1

MJE13007DV7 NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting, switching power supply applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 700 V CBO V V 400 CEO V 9.0 V EBO I 7 A C I 16 A CP I 4.0

0.19. mje13007v7.pdf Size:238K _foshan

MJE13007V7(3DD13007V7) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting, switching power supply applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 700 V CBO V 400 V CEO V 9.0 V EBO I 8.0 A C I 16 A

Источник

Характеристики транзистора MJE13007

Если проанализировать характеристики биполярного транзистора MJE13007, можно предположить что он разрабатывался для установки в высоковольтных индуктивных цепях переключения мощности, где критично время спада. Они особенно подходят для установки схемы переключения, работающих под напряжением 115 В и 220 В, таких как импульсные регуляторы и инверторы, а также могут использоваться в системах управления двигателями, соленоидами, переключающими реле и схемам отклонения. Структура этого устройства n-p-n. Буквы MJE в названии говорят о то что разработан он был компанией Motorola.

Цоколевка

Изготавливается MJE13007 в корпусе ТО-220. Выводы транзистора расположены в следующем порядке: слева расположена база, потом идёт коллектор и самая правая ножка – это эмиттер. Часто его маркируют без первых букв MJE, как 13007. Масса – 2,5 г. Внешний вид и распиновка представлены на рисунке.

Технические характеристики

В начале рассмотрим, как это делают производители в технической документации, максимально допустимые характеристики. Они устанавливают предел возможностей MJE13007, так как при превышении данных показателей транзистор может выйти из строя. Их измеряли при стандартной температуре +25°С. Вот они:

напряжение Б-К V_CBO (U_{кб max}) = 700 В;
напряжение Э-К V_CЕO (U_{кэ max}) = 400 В;
напряжение Э-Б V_ЕВO (U_{эб max}) = 9 В;
ток коллектора, текущий постоянно I_C (I_{к max}) = 8 А;
ток коллектора, текущий небольшой промежуток времени (импульсный) I_C (I_{к max}) = 16 А;
ток базы (постоянный) I_В (I_{Б max}) = 4 А;
мощность P_С (Р_{к max}) = 80 Вт;
предельная т-ра кристалла T_j = +150°С;
т-ра, при которой он может работать T_stg = -65 … +150°С.

Теперь рассмотрим электрические значения MJE13007. От них зависит сфера применения и возможности транзистора. Они измерялись при той же температуре, что и предельно допустимые характеристики. Остальные важные параметры тестирования приведены в строке «Условия измерения».

*Электрические х-ки транзистора MJE13007 (при Т = +25* о C)
Параметры	Режимы измерения	Обозн.	min	typ	max	Ед. изм
Пробивное напряжение К-Б	I_C = 1 мA, I_E=0	V_(BR)CВO	700	В
Пробивное напряжение К-Э	I_C=10 мA, I_B=0	V_(BR)CEО	400	В
Пробивное напряжение Э-Б	I_E= 1 A, I_C=0	V_(BR)EBO	9	В
Обратный ток коллектора	V_CВ = 700 В, I_E=0	I_CВO	100	мкА
Обратный ток К-Э	V_CE= 400 В, I_B=0	I_CEО	100	мкА
Обратный ток эмиттера	V_EB = 9 В, I_C=0	I_EBO	100	мкА
Напряжение насыщения К-Э	I_C= 2 A, I_B = 0,4 A	V _CE(sat)	1	В
	I_C= 5 A, I_B = 1 A		2
	I_C= 8 A, I_B = 2 A		3
Напряжение насыщения Б-Э	I_C= 2 мA, I_B = 0,4 A	V _ВE(sat)	1,2	В
Напряжение насыщения Б-Э	I_C= 5 A, I_B = 1 A	V _ВE(sat)	1,6	В
Выходная ёмкость	V_CB = 10В, f = 0,1 МГц	C_ob	110	пФ
К-т усиления по току	V_CE = 5 В, Ic=2 A	h_FE(1)	19	36
К-т усиления по току	V_CE = 5 В, Ic=8 A	h_FE(2)	5
Граничная частота к-та передачи тока	V_CE=10 В, I_C= 0,5 A, f=1 МГц	f_T	4	МГц
Время закрытия	I_C=500 мA	t_F	0,5	мкс
Время рассасывания.	I_C=500 мA	t_S	3	4	мкс

Аналоги

Наиболее подходящие аналоги 13007:

Существует также отечественный аналог, это КТ8126А.

Производители и Datsheet

Назовём главных производителей 13007 и приведёт их datasheet:

В магазинах продаются транзисторы компаний:

Источник