Параметры транзистора TN3020. Интернет-справочник основных параметров транзисторов.

Главная

О сайте

Теория

Практика

Контакты

Высказывания: Ошибки обнаружит во вторых экземплярах босс, когда начнет их читать. Основные параметры транзистора TN3020 биполярного высокочастотного npn. Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора TN3020 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице. Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn Pc max Ucb max Uce max Ueb max Ic max Tj max, °C Ft max Cc tip Hfe 1.2W 140V 80V 7V 1A 150°C 80MHz 10 40/120 Производитель: NSC Сфера применения: Medium Power, High Voltage, General Purpose Популярность: 2476 Условные обозначения описаны на странице «Теория». Схемы транзистора TN3020 Общий вид транзистора TN3020. Цоколевка транзистора TN3020. Обозначение контактов: Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер. Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер. Коллективный разум. Дополнения для транзистора TN3020. Другие разделы справочника: Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество. Источник «Электроника и Радиотехника» Домашний мастер. Напряжение на выходе примерно 7.8V. Под нагрузкой 0.5А напряжение падает примерно до 4-5V. Возможно, трансформатор имеет дополнительно 2-е обмотки (если это не просто проволочки, идущие к экранирующей фольге). Обмотки подседины к «минусу» одним концом. Второй конец никуда не подцеплен. Обмотки играют роль экранов и применяются также для динамического подавления ЭМИ помех, возникающих во время работы трансформатора (может быть именно поэтому, отсутствует конденсатор между + 300V и коллектором транзистора Т2). *некоторые значения конденсаторов неточные! Доработка ЗУ сотового телефона Сотовые телефоны комплектуют зарядными устройствами (ЗУ), построенными на основе обратноходового преобразователя напряжения, часто такие ЗУ собраны по упрощенной схеме и имеют невысокую надежность. На рисунке показана схема одного из вариантов ЗУ. Напряжение сети через резистор R1, который выполняет функции предохранителя, поступает на мостовой выпрямитель на диодах VD1 —VD4 и сглаживается конденсатором С1. Производители ЗУ сетевые фильтры для подавления помех используют редко, кроме того, часто применяют не мостовой, а однополупериодный выпрямитель. Стабилизация выходного напряжения осуществляется косвенным методом. Для этого напряжение обмотки III трансформатора выпрямляется диодом VD6, сглаживается конденсатором СЗ и через стабилитрон VD5 поступает на базу транзистора. В момент подключения ЗУ к сети, а также при резких колебаниях напряжения в сети ток через транзистор VT1 превышает допустимое значение, что приводит к выходу его из строя. В большинстве случаев выходят из строя также резисторы R1, R6 и стабилитрон VD5. Для повышения надежности ЗУ предлагается его доработка, заключающаяся во введении дополнительных элементов VT2, R8, обведенных на схеме штрихпунктирной линией. При увеличении тока через транзистор VT1 более 60. 70 мА транзистор VT2 открывается и шунтирует базовую цепь транзистора VT1, ограничивая протекающий через него ток. Можно применить транзисторы серий КТ315, КТ3102 с любыми буквенными индексами, резистор — МЛТ, Р1-4, С2-23. ЗУ, доработанные таким способом, показали более высокую надежность работы. Принципиальная схема устройства представляет собой классический импульсный преобразователь обратного хода (рис. 1). Подобные простые схемы широко применяются в импульсных блоках питания и зарядных устройствах мощностью до 25 Вт с соответствующим использованием более мощных деталей. Заявленные характеристики устройства — выходное напряжение 5,7 V , ток 800 мА. Коротко рассмотрим описание работы схемы Напряжение сети подается через токоограничивающий резистор R 1 на вход выпрямителя, выполненного на диодах D 1- D 4. На транзисторе Q 1 собран автогенератор, частота которого в основном определяется характеристиками применяемого здесь импульсного трансформатора TF 1. Резистор R 3 задает режим работы транзистора Q 1. Стабилизация выходного напряжения происходит за счет использования обмотки обратной связи импульсного трансформатора TF 1 и цепочки D 7, С4, ZD 1. Транзистор Q 2 и резистор R 2 служат для ограничения тока транзистора Q 1 в момент запуска автогенератора, а также в случае перегрузки или короткого замыкания на выходе устройства. Схема содержит простейший выпрямитель выходного напряжения на диоде D 8 и конденсаторе С5. Резистор R 6 служит для разрядки конденсатора С5 после выключения устройства. Схема еще одного варианта зарядного устройства мобильного телефона показана на рис.1. Источник 3020 транзистор для зарядного Транзистор 2N3020 — биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > FГР —> транзистор типа N-P-N, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС Технические данные (datasheet)
Транзистор	UКЭ0 / UКБ0 ПРОБ В	IК, МАКС мА	PК, МАКС мВт	h21Э		IК мА	UКЭ В	fгр МГц	Изготовитель
				мин.	макс.				Название (полное)	Название (сокращённое)
2N3020	80/140	1000	800	80	American Microsemiconductor Inc	AmerMicroSC
					Advanced Semiconductor tnc	Advncd Semi
					Central Semiconductor Corp	CentralSemi
					Continental Device India Ltd	Contin Dev
					Crimson Semiconductor Inc	CrimsonSimi
					Digitron Electronic Corp	Digitron
					Elm State Electronics lnc	Elm State
					General Transistor Corp	Gnrl Trans
					Hi-Tron Semiconductor	Hi-Tron
					Micro Electronics Ltd	Micro Еlecs
					Mistral SPA	Mistral SpA
					Motorola Semiconductor Products Inc	Motorola
					New England Semiconductor	New Eng SC
					Punjab Wireless Systems Ltd	Punjab Wire
					Semelab Plc	Semelab
					Semiconductors Inc	Semi Inc
					Advani Oerlikon Ltd/Semiconductors Ltd	Semi Ltd
					Semicoa	Semicoa
					Semiconductor Technology Inc	SemiconTech
					Intex Со Inc/Semitronics Corp	Semitronics
					Solid State Industries Inc	SldSt Indus
					Solid State Inc	Solid Stinc
					Swampscott Electronics Со Inc	Swampscott
					Syntar Industries Inc	Syntar Ind
					Transistor Со	Transistor
					Space Power Electronics Inc	Space Power

Цоколёвка

Тип Номера выводов 1 2 3 3 вывода E B C

U_{КЭ0, ПРОБ} — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

U_{КБ0, ПРОБ} — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

U_КЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h_21Э.

I_{К, МАКС} — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

I_К — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h_21Э.

h_21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

f_ГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

P_{К, МАКС} — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.

* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.

Источник

3020 транзистор для зарядного

Наименование производителя: 3DG3020A1

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20

3DG3020A1 Datasheet (PDF)

NPN R 3DG3020 A1 3DG3020 A1 NPN VCEO 450 V IC 1.5 A Ptot Ta=25 0.8 W

7.1. 3dg3020.pdf Size:111K _china

3DG3020 NPN A B C PCM TA=25 800 mW ICM 1000 mA Tjm 175 Tstg -55

150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 100 120 140 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 80 100 120 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 6.0 V ICBO VCB=20V 0.5 A ICEO VCE=20V 1.0 A IEBO VEB=2V 0.5 A VBEsat 1.0 I

8.1. 3dg302.pdf Size:118K _china

3DG302 NPN A B C PCM 800 mW ICM 1000 mA Tjm 175 Tstg -55

150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 100 120 140 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 80 100 120 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 6.0 V ICBO VCB=20V 0.5 A ICEO VCE=20V 1.0 A IEBO VEB=2V 0.5 A VBEsat 1.0 IC=200mA

NPN R 3DG3001 A1-H 3DG3001 A1-H VCEO 450 V NPN IC 0.8 A Ptot Ta=25 0.8 W

NPN R 3DG3001 A1-H 3DG3001 A1-H VCEO 450 V NPN IC 0.8 A Ptot Ta=25 0.8 W

Источник

Компактная зарядка 5В 1А как это сделано?

Представляю очередное устройство из серии «Не Брать!»
В комплект прилагается простенький кабель microUSB, который буду тестировать отдельно с кучей других шнурков.
Заказал эту зарядку ради любопытства, зная, что в таком компактном корпусе крайне сложно сделать надёжное и безопасное устройство сетевого питания 5В 1А. Реальность оказалась суровой…

Пришло в стандартном пакетике с пупыркой.
Корпус глянцевый, обёрнут защитной плёнкой.
Габаритные размеры с вилкой 65х34х14мм




Зарядка сразу оказалась нерабочей — хорошее начало…
Пришлось в начале устройство разбирать и ремонтировать, чтобы иметь возможность тестировать.
Разбирается очень просто — на защёлках самой вилки.
Дефект обнаружился сразу — отвалился один из проводков к вилке, пайка оказалась некачественной.

Вторая пайка не лучше

Сам монтаж платы выполнен нормально (для китайцев), пайка хорошая, плата отмыта.



Реальная схема устройства

Какие проблемы были обнаружены:
— Довольно слабое крепление вилки с корпусом. Не исключена возможность остаться ей оторванной в розетке.
— Отсутствие предохранителя по входу. Видимо те самые проводочки к вилке и являются защитой.
— Однополупериодный входной выпрямитель — неоправданная экономия на диодах.
— Малая ёмкость входного конденсатора (2,2мкФ/400В). Для работы однополупериодного выпрямителя ёмкость явно недостаточна, что приведёт к повышенным пульсациям напряжения на нём на частоте 50Гц и к уменьшению срока его службы.
— Отсутствие фильтров по входу и выходу. Невелика потеря для такого маленького и маломощного устройства.
— Простейшая схема преобразователя на одном слабеньком транзисторе MJE13001.
— Простой керамический конденсатор 1нФ/1кВ в помехоподавляющей цепи (показал отдельно на фото). Это грубое нарушение безопасности устройства. Конденсатор должен быть класса не менее Y2.
— Отсутствует демпферная цепь гашения выбросов обратного хода первичной обмотки трансформатора. Этот импульс частенько пробивает силовой ключевой элемент при его нагреве.
— Отсутствие защит от перегрева, от перегрузки, от короткого замыкания, от повышения выходного напряжения.
— Габаритная мощность трансформатора явно не тянет на 5Вт, а его очень миниатюрный размер ставит под сомнение наличие нормальной изоляции между обмотками.

Теперь тестирование.
Т.к. устройство изначально не является безопасным, подключение производил через дополнительный сетевой предохранитель. Если уж что случится — хотя-бы не обожжёт и не оставит без света.
Проверял без корпуса, чтобы можно было контролировать температуру элементов.
Выходное нгапряжение без нагрузки 5,25В
Потребляемая мощность без нагркзки менее 0,1Вт
Под нагрузкой 0,3А и менее зарядка работает вполне адекватно, напряжение держит нормально 5,25В, пульсации на выходе незначительные, ключевой транзистор греется в пределах нормы.
Под нагрузкой 0.4А напряжение начинает немного гулять в диапазоне 5,18В — 5,29В, пульсации на выходе 50Гц 75мВ, ключевой транзистор греется в пределах нормы.
Под нагрузкой 0,45А напряжение начинает заметно гулять в диапазоне 5,08В — 5,29В, пульсации на выходе 50Гц 85мВ, ключевой транзистор начинает потихоньку перегреваться (обжигает палец), трансформатор тёпленький.
Под нагрузкой 0,50А напряжение начинает сильно гулять в диапазоне 4,65В — 5,25В, пульсации на выходе 50Гц 200мВ, ключевой транзистор перегрет, трансформатор также довольно сильно нагрет.
Под нагрузкой 0,55А напряжение дико прыгает в диапазоне 4,20В — 5,20В, пульсации на выходе 50Гц 420мВ, ключевой транзистор перегрет, трансформатор также довольно сильно нагрет.
При ещё большем увеличении нагрузки, напряжение резко проседает до неприличных величин.

Выходит, данная зарядка реально может выдавать максимум 0,45А вместо заявленных 1А.

Далее, зарядка была собрана в корпус (вместе с предохранителем) и оставлена в работе на пару часов.
Как ни странно, зарядка не вышла из строя. Но это вовсе не означает, что она является надёжной — имея такую схемотехнику долго ей не протянуть…
В режиме короткого замыкания зарядка тихо умерла через 20 секунд после включения — произошёл обрыв ключевого транзистора Q1, резистора R2 и оптрона U1. Даже дополнительно установленный предохранитель не успел сгореть.

Для сравнения, покажу как выглядит внутри простейшая китайская зарядка 5В 2А от планшета, изготовленная с соблюдением минимально-допустимых норм безопасности.

Пользуясь случаем, сообщаю, что драйвер светильника из предыдущего обзора был успешно доработан, статья дополнена.
mysku.club/blog/aliexpress/28085.html

Итоговый вывод: лучшее место этой зарядки — мусорное ведро, берегите себя и близких.
Продолжение следует…

Источник