D1403 транзистор характеристики на русском

Параметры транзистора 2SD1403. Интернет-справочник основных параметров транзисторов.


Главная О сайте Теория Практика Контакты

Высказывания:
Есть два способа командовать женщиной, но никто их не знает. /Кин Хаббард/

Основные параметры транзистора 2SD1403 биполярного низкочастотного npn.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора 2SD1403 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn

Pc max Ucb max Uce max Ueb max Ic max Tj max, °C Ft max Cc tip Hfe
120W 1500V 800V 7V 6A 150°C 3MHz 8MIN

Производитель: SANYO
Сфера применения: Power, TV Deflection
Популярность: 4981
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора 2SD1403

Общий вид транзистора 2SD1403. Цоколевка транзистора 2SD1403.

Обозначение контактов:
Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер.
Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора 2SD1403.


Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Источник

D1403 транзистор характеристики на русском

Наименование производителя: 2SD1403

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8

2SD1403 Datasheet (PDF)

..1. 2sd1403.pdf Size:81K _wingshing

Silicon Diffused Power Transistor2SD1403GENERAL DESCRIPTIONHighvoltage,high-speed switching npn transistors in a plastic envelope with integrated efficiency diode,prim-arily for use in horizontal deflection circuites of colour television receiversMT-100QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP MAX UNITCollector-emitter voltage peak value V = 0VBEV — 1500 VCES

..2. 2sd1403.pdf Size:217K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1403DESCRIPTIONHigh Breakdown VoltageHigh Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits ofcolour TV receivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 1500 VCBOV Col

8.1. 2sd1409a.pdf Size:212K _toshiba

8.2. 2sd1407a.pdf Size:131K _toshiba

2SD1407A TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SD1407A Industrial Applications Power Amplifier Applications Unit: mm High breakdown voltage: VCEO = 100 V Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 2.0 V (max) Complementary to 2SB1016A Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 100 VCol

8.3. 2sd1408.pdf Size:105K _toshiba

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

8.4. 2sd1401.pdf Size:43K _sanyo

8.5. 2sd1400.pdf Size:42K _sanyo

8.6. 2sd1402.pdf Size:68K _wingshing

NPN TRIPLE DIFFUSED2SD1402 PLANAR SILICON TRANSISTORCOLOR TV HORIZONTAL OUTPUTAPPLICATIONS (No Damper Diode) SC-65 High Collector-Base Voltage(VCBO=1500V) High Speed Switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)ACharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 1500 V Collector-Emitter Voltage VCEO 800 V Emitter-Base voltage VEBO 6 V Collecto

8.7. 2sd1407.pdf Size:69K _wingshing

2SD1407 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORPOWER AMPLIFIER VERTICAL DEFLECTION OUTPUT SC-67 Complement to 2SB1016ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)ACharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -100 V Collector-Emitter Voltage VCEO -100 V Emitter-Base voltage VEBO -5 V Collector Current (DC) IC -3 A Collector Dissipation (Tc=25 PC 25 W

8.8. 2sd1409.pdf Size:71K _wingshing

2SD1409 SILICON NPN DARLINGTON TRANSISTORGENERAL DESCRIPTIONDarington transistor are designed for use as general purpose amplifiers, switching and motor control applications.QUICK REFERENCE DATATO-220FSYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN MAX UNITCollector-emitter voltage peak value VBE = 0VVCESM — 600 VCollector-emitter voltage (open base)VCEO — 400 VCollector current (DC)I

8.9. 2sd1409.pdf Size:105K _jmnic

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2SD1409 DESCRIPTION With TO-220F package High DC current gain Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor APPLICATIONS Igniter applications High volitage switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector3 EmitterFig.1 simplified outline (TO-220F) and sym

8.10. 2sd1409a.pdf Size:191K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc Product Specificationisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1409ADESCRIPTIONHigh collector-emitter breakdown voltage-: V = 400V(Min)(BR)CEOHigh DC current Gain: h = 600(Min) @ I = 2A, V = 2VFE C CEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSIgniter applicationsHigh voltage swi

8.11. 2sd1402.pdf Size:217K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1402DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 1500V (Min)CBOHigh Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for color TV horizontal output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 1500 VCBOV C

8.12. 2sd1408.pdf Size:211K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1408DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage: V = 1.5V(Max)@ I = 3ACE(sat) CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V (Min)(BR)CEOComplement to Type 2SB1017Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

8.13. 2sd1407.pdf Size:210K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1407DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage: V = 2.0V(Max)@ I = 4ACE(sat) CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 100V (Min)(BR)CEOComplement to Type 2SB1016Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

8.14. 2sd1404.pdf Size:208K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1404DESCRIPTIONHigh Collector Current CapabilityHigh Collector Power Dissipation CapabilityBuilt-in Damper DiodeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSB/W TV horizontal deflection output applications.High voltage switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

8.15. 2sd1405.pdf Size:187K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD1405DESCRIPTIONHigh DC Current Gain: h = 200(Min) @I = 0.5AFE CLow Collector Saturation Voltage: V = 1.0V(Max.)@ I = 1ACE(sat) CCollector Power Dissipation of 25W@ T =25CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio frequency power

8.16. 2sd1406.pdf Size:216K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1406DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage: V = 1.0V(Max)@ I = 3ACE(sat) CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V (Min)(BR)CEOComplement to Type 2SB1015Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio frequency power amplifier applications.ABSOLUTE MA

8.17. 2sd1400.pdf Size:212K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1400DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 1500V (Min)CBOHigh Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for color TV horizontal output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 1500 VCBOV C

8.18. 2sd1409.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1409DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain: h = 600(Min) @ I = 2A, V = 2VFE C CEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSIgniter applicationsHigh voltage switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Источник

Транзистор 2SD1403

Бренд Sanyo
Модель 2SD1403
Тип Хорошее (HQ)
Цена в бонусных баллах: 180
В наличии 5 шт.

Отправка заказов производится со склада в
Ростовкой области.

  • Стоимость доставки заказа до пункта самовывоза или до двери от 300 рублей, сроки — 3-5 дней.
  • Стоимость доставки заказа до Вашего почтового отделения 300 рублей, сроки — 5-8 дней.
  • Самовывоз: г. Каменск – Шахтинский, Проспект Карла-Маркса, д. 60, сроки — 1 день.

Транзистор 2SD1403

2SD1403, Высоковольтный биполярный NPN транзистор с диодом, строчная развертка ТВ

Технические параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 1500
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 800
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 8
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 3
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 120
Корпус to3pb

Написать отзыв

Зарегистрируйся, оставляй отзывы о товаре, зарабатывай бонусы!

Ваш отзыв: Внимание: HTML не поддерживается! Используйте обычный текст.

Оценка: Плохо Хорошо

Транзистор 2SD1403

Ежедневная отправка заказов производится из г. Каменск-Шахтинский, Ростовской области по фиксированному тарифу (количество товаров не влияет на стоимость доставки). При общей сумме заказа более 2000 рублей — доставка почтой России за счет магазина!

Гибкая система оплаты банковскими картами (Visa, Mastercard, Maestro, МИР) любого банка, через интернет-банкинг (Промсвязьбанк, Альфа-Банк, ВТБ24, Банк Русский Стандарт), электронными деньгами (Webmoney, Яндекс деньги, Qiwi), наличными в салонах связи (Евросеть, Связной) — позволит вам оплатить заказ + стоимость доставки он-лайн без всяких комиссий.

После получения он-лайн оплаты, мы предоставим Вам электронный чек ОФД – который приравнен к обычному бумажному чеку и может быть использован Вами для любых целей – для отчета в бухгалтерии или разрешения спорных ситуаций, а после комплектации и отправки заказа (как правило 1-2 суток) – предоставим ссылку для отслеживания местонахождения заказа на электронную почту и продублируем смс сообщением. Вы в любой момент можете узнать – где именно находится заказ!

Доставка осуществляется почтой России до Вашего почтового отделения или Транспортной Компанией до точки самовывоза (ПВЗ Транспортой Компании) либо курьером до Двери в кротчайшие сроки — от 3 до 8 суток (в зависимости от региона получателя и способа доставки).

Доставка в Казахстан и Белоруссию осуществляется только транспортной компанией! При этом он-лайн оплата может производится банковскими картами в национальной валюте с прямой конвертацией в Российские рубли без всяких комиссий.

В настоящее время жесткой конкуренции на стоимость — скорость доставки заказов — Обратите внимание на способ доставки Транспортной Компанией. т.к. Стоимость ее доставки уже сравнялась с Почтой России, зато скорость выполнения работы, специальные логистические центры и отсутствие очередей, а так же лояльное отношение к клиенту — несоизмеримо выше!

Даже если по какой-то причине Вам не удалось оплатить заказ, мы отправим на Ваш электронный ящик письмо с уведомлением о заказе и ссылкой его для оплаты.

Все неоплаченные в течении 5 банковских дней заказы анулируются.

*Изображение для продукта Транзистор 2SD1403 служит только для ознакомления и не предназначено для использования в конструкторской документации.

**Цены и наличие товара на сайте и в розничных магазинах «Radio-Sale» могут отличаться.

Источник

Вам понравится:  Как делают биполярные транзисторы
Оцените статью
Частотные преобразователи
Adblock
detector