Полевой транзистор 2n60b характеристики

Полевой транзистор 2n60b характеристики

Транзистор 2N60B — биполярный, германиевый, низкочастотный ( FГР —> транзистор типа P-N-P малой мощности ( PК,МАКС

Технические данные (datasheet)

Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В IК, МАКС
мА PК, МАКС
мВт h21Э fгр
МГц Изготовитель мин. макс. IК
мА UКЭ
В Название (полное) Название (сокращённое) 2N60B 20/50 200 180 65 100 1,5 American Microsemiconductor Inc AmerMicroSC Advanced Semiconductor tnc Advncd Semi Hi-Tron Semiconductor Hi-Tron Transistor Со Transistor Space Power Electronics Inc Space Power

Цоколёвка

Тип Номера выводов 1 2 3 3 вывода E B C

UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.

* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.

Источник

Полевой транзистор 2n60b характеристики

Наименование прибора: WFF2N60B

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 9 nC

Время нарастания (tr): 23 ns

Выходная емкость (Cd): 15 pf

Вам понравится:  Квадратная цепь с резисторами

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 5 Ohm

WFF2N60B Datasheet (PDF)

..1. wff2n60b.pdf Size:613K _winsemi

WFF2N60BWFF2N60BWFF2N60BWFF2N60BSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 2A,600V,R (Max 5.0)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 9nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced u

7.1. wff2n60.pdf Size:386K _winsemi

WFF2N60WFF2N60WFF2N60WFF2N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures2A,600V, R (Max 5)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 9.0nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage ( V = 4000V AC )ISO Maximum Junction Temperature Range(150)General Desc

8.1. wff2n65.pdf Size:785K _winsemi

WFF2N65WFF2N65WFF2N65WFF2N65Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 2A,650V(Type),R (Max 5)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 9.0nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage(V =4000V AC)ISO Maximum Junction Temperature Range(150) Halog

8.2. wff2n65l.pdf Size:214K _winsemi

WFF2N65L Product DescriptionSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeaturesD2.0A,650V,R (Max5.0)@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 8.6nC) Fast Switching CapabilityG 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)SGeneral DescriptionThis Power MOSFET is produced

8.3. wff2n65b.pdf Size:537K _winsemi

WFF2N65BWFF2N65BWFF2N65BWFF2N65BSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 2A,650V(Type),R (Max 5)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 9.0nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage(V =4000V AC)ISO Maximum Junction Temperature Range(150)Gener

Источник

Характеристики транзистора 2N60B

Как написано в технических характеристиках, 2N60B – это n-канальный MOSFET транзистор. Изготавливается по технологии DMOS, запатентованной фирмой Fairchild. Благодаря этому он имеет: небольшое сопротивление при открытом транзисторе, хорошие коммутационные способности и высокую устойчивость к кратковременным нагрузкам. Данные устройства подходят для установки в импульсные источники питания.

Цоколевка

2N60B изготавливают в двух корпусах: D 2 -PAK и I 2 -PAK. В первом случае полное наименование транзистора SSW2N60B, а во втором SSI2N60B. Расположение выводов для каждого типа корпуса можно увидеть на рисунке.

Вам понравится:  Писсуар с датчиком смыва схема подключения

Технические характеристики

Сначала рассмотрим максимально возможные характеристики 2N60B. Их важно знать, так как производитель не может гарантировать целостность транзистора при их превышении. Скорее всего в этом случае 2N60B выйдет из строя. Эти значения были измерены при температуре +25°С.

  • напряжение между стоком и истоком VDSS = 600 В;
  • постоянный ток идущий через сток:
  • при TC=25°C ID = 2 A;
  • при TC =100°C ID = 1.3 A.
  • кратковременный ток через сток IDM = 6 A;
  • напряжение между затвором и истоком VGSS = ±30 В;
  • максимальная энергия одного импульса EAS =120 мДж;
  • ток лавинного пробоя IAR = 2 A;
  • максимальная энергия серии импульсов EAR = 5,4 мДж;
  • скорость восстановления диода dv/dt = 5,5 В/нс;
  • PD Мощность рассеяния;
  • при температуре окружающей среды TA = 25°C PD = 3,13 Вт;
  • при температуре корпуса TC = 25°C PD = 54 Вт.
  • диапазон температур работы Tstg55°C … +150°C;
  • Максимальная температура припоя TL= 300°C.

Теперь рассмотрим электрические характеристики 2N60B. От них также зависят возможности и сфера применения транзистора. Их измеряли при температуре +25°С. Остальные важные для тестирования параметры приведены в столбце «Режимы измерения».

Электрические характеристики транзистора 2N60B (при Т = +25 о C)
Параметры Режимы измерения Обозн. min typ max Ед. изм
Напряжение пробоя сток-исток VGS = 0 В, ID = 250 мкА BVDSS 600 В
Изменение напряжения пробоя от температуры ID = 250 мкA при 25°C ∆BVDSS/∆TJ 0,65 В/°С
Ток стока (на затворе 0 В) VDS = 600 В, VGS = 0 В 10 мкА
VDS = 480 В, TC = 125°C 100 мкА
Ток утечки между затвором и корпусом (прямой) VGS = 30 В, VDS = 0 В IGSSF 100 нА
Ток утечки между затвором и корпусом (обратный) VGS = 30 В, VDS = 0 В IGSSR -100 нА
Напряжение открытия VDS = VGS, ID = 250 мкА VGS(th) 2 4
Сопротивление сток-исток при открытом транзисторе VGS = 10 В, ID = 1 A RDS(on) 3,8 5 Ом
Крутизна передаточной функции VDS = 40 В, ID = 1.0 A gFS 2,05
Входная ёмкость VDS = 25 В, VGS = 0 В,

f = 1 MГц

Ciss 380 490 пФ
Выходная ёмкость Coss 35 46 пФ
Проходная ёмкость Crss 7,6 9,9 пФ
Время открытия VDD = 300 В, ID = 2.0 A,

RG = 25 Ом

td(on) 16 40 нс
Нарастание переднего фронта tr 50 110 нс
Время закрытия td(off) 40 90 нс
Спад импульса tf 40 90 нс
Заряд на затворе, необходимый для открытия транзистора VDS = 480 В, ID = 2 A,

VGS = 10 В

Qg 12,5 17 нКл
Заряд на переходе З-И Qgs 2,2 нКл
Заряд на переходе З-С Qgd 5,4 нКл
Ток перехода С-И (постоянный) IS 2 А
Ток перехода С-И (импульсный) ISM 6 А
Напряжение перехода сток-исток (прямое) VGS = 0 В, IS = 2 A VSD 1,4 В
Время обратного восстановления VGS = 0 В, IS = 2 A,

dIF / dt = 100 A/ мкс

trr 250 нс
Заряд обратного восстановления Qrr 1,31 мкКл

Кроме приведённых выше производители приводят также тепловые величины. Они важны для мощных транзисторов, особенно при расчёте теплоотвода. Данные параметры показывают на сколько увеличится температура при увеличении рассеиваемой мощности.

Тепловые характеристики транзистора 2N60B
Параметры Обозначение Значение Ед. изм
Тепловое сопротивление перехода от кристалла к корпусу RθJC 2,32 °С/Вт
Тепловое сопротивление перехода от кристалла к воздуху (с теплоотводом) RθJA 40 °С/Вт
Тепловое сопротивление перехода от кристалла к корпусу RθJA 62,5 °С/Вт

Аналоги

Аналогов 2N60B не существует, но его можно заменить немного более мощными транзисторами:

Эти устройства могут отличаться расположением ножек, габаритами и некоторыми параметрами, поэтому при замене нужно быть внимательным.

Производители

Производителем транзистора является компания Fairchild Semiconductor. В отечественных магазинах также можно встретить продукцию только этой фирмы.

Источник

Оцените статью
Частотные преобразователи
Adblock
detector