Полевой транзистор irf3205 параметры

Транзистор irf3205 параметры

Благодаря большой токовой способности и низкому сопротивлению канала транзистор IRF3205 часто используется в качестве силовых ключей в автомобильных электронных устройства и там где нужно коммутировать относительно большие токи при небольших напряжениях.

Транзистор IRF3205 цоколевка

Цоколевка стандартная как и у большинства силовых транзисторов:

IRF3205 параметры

  • Тип — N-канальный MOSFET с обратным диодом
  • Тип корпуса — TO-220AB (SOT78)
  • Диапазон рабочих температур -55..+175°C

Максимальное напряжение сток-исток Uси = 55 В, позволяет транзистору IRF3205 работать в преобразователях напряжения питающихся от 12, 24 и 36 В, то есть во всех автомобильных применениях, в источниках бесперебойного питания и много ещё где.
При этом обещают сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. = 8 мОм (0,008 Ом) и максимальный ток сток-исток при температуре 25°С: Iси макс.= 110 А. Вот только цифра 110 А, это лишь маркетинговый ход — это ток самого кристалла, а вот проволочка которой припаян контакт истока на кристале к выводу выдержит лишь 75 А. Это ограничение называют ограничением по максимальному току корпуса.

  • Время включения = 14 нс,
  • Время выключения = 50 нс,
  • Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс. = ±20 В,
  • Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс. = 200 Вт,
  • Крутизна характеристики S = 44,
  • Пороговое напряжение на затворе 2…4 В,
  • Ток утечки затвора Запись опубликована 22.05.2016 автором в рубрике Силовая электроника, Электроника для начинающих.

25 thoughts on “ Транзистор irf3205 параметры ”

Pdf от IR на IRF3205 и на IRF3205Z.

По характеристикам сопротивление открытого канала Rси вкл. транзисторов IRF3205 и IRF3205Z равно соответственно 8 мОм и 6,5 мОм. Вероятно произошла опечатка, и необходимо исправить мегаомы на омы.

Прошу прощения, перепутал миллиомы мОм с мегаомами МОм. Наверное, чтобы таких ошибок не возникало, лучше написать характеристики прямо в омах.

Я когда впервые столкнулся с МДП транзисторами от IR, не верилось что настолько маленькое сопротивление канала. А сейчас если идет разговор о низковольтных мосфетах, то сразу подразумеваются милли Омы.
Оставил значение как в мОмах (так как лень нули считать), так и дополнил значением в Омах, чтобы избежать недоразумений.

Спасибо за информацию о максимальном токе корпуса. Я раньше не обращал внимания об этом. Хорошо , что автор приводит примерную цену о стоимости деталей. Вопрос может кто ответит как работают высоковольтные МДП транзисторы , на более низком напряжении , т.е. если Uси = 400 или 500 В, как этот транзистор будет работать в схеме с напряжением 50в. А то мне не понятно почему производитель выпускает большой ассортимент элементов с более низкими параметрами если цены примерно одинаковы.

Высоковольтные транзисторы изготовить сложнее, так как нужно обеспечить более высокое напряжение пробоя — например за счет увеличения размеров областей и/или чистоты материалов. А если длинна канала увеличивается то и сопротивление в открытом состоянии растет.
Высоковольтный транзистор спокойно будет работать на низком напряжении, т.е. 400В будет нормально коммутировать 50В, но вот сопротивление в открытом состоянии у него скорее всего будет значительно больше чем у специализированного низковольного. И соответсвенно потери и нагрев у низковольного будут ниже.
Ассортимент транзисторов формируется не по их качеству, а по востребованности: заложили какой-то транзистор в устройство 10 лет назад и так и выпускают по сей день, так как чтобы поставить пусть и более совершенные транзисторы нужно как минимум провести испытания, а может быть и перенастройку каких-то узлов схемы. Вот и получается что наряду с современными транзисторами выпускаемыми большими тиражами, продаются и устаревшие транзисторы за теже деньги. На цену очень сильно влияет тираж и часто более сложный в изготовлении но популярный транзистор стоит дешевле более простого.

Admin ответил красиво и грамотно — подписываюсь под каждым словом. Но, «почему» олександра о другом — под более низкими параметрами он почему-то понял лишь напряжение, забыв о токе. Так вот, у 400-вольтового IRF740, к примеру, ток всего 10 А, а не 110 (пусть даже 75) как у IRF3205. А есть еще и рассеиваемая мощность, ограничивающая и V и А любых транзисторов. Так что отталкиваться при выборе элемента, надо на нагрузку, на которую он будет работать. Например, применение IRF740 станет нерентабельным лишь при U

Имел дело с данным типом транзисторов, но к сожалению отрицательный. В свое время делал контроллер для трехфазного двигателя, который подключался через мою схему в сеть 220 В. К сожалению почему-то постоянно горели, хотя по осцилограммах все было в порядке и сдвиг фаз соблюдался правильный, а в качестве нагрузки использовал 3 лампочки по 50Вт, подключенных треугольником.

Не совсем понятно, для какого двигателя и какой контролер вы делали? Трехфазники, как правило предназначены для работы в 220-вольтовой трехфазной электросети. А данный транзистор рассчитан на полсотни. Частотным преобразователям для таких двигателей нужны совсем другие транзисторы.
В любом случае, как нагрузка импульсных преобразователей, лампочка вместо обмотки двигателя — не гуд. У нее очень низкое сопротивление в холодном состоянии, что обуславливает резкий токовый скачек при включении. Это надо учитывать.

Добрый день. На принципиальной схеме транзистора затвор ошибочно именуется истоком. Исправьте, пожалуйста.

Научитесь правильно переводить МОм в Омы

пытался сделать преобразователь 12- 220 на IRF3205 горят при нагрузке 6 -7 А при этом даже не греются

А какой выброс напряжения сток-исток? Предположу, что горят из-за импульсного превышения напряжения.

Так думаю лучшее пока irfz44 низковольтные мосфеты получше , в инверторе на высокое, irf3205 работают но не долго:(

У вас на картинке два истока, исправьте

На Али продают KIA3205 с заявленными 5,5 милиОм примерно в районе 6$ за десяток ,
закажу для проверки , интересно , хотя есть и другие по 10$ за 10 $ но без маркировки производителя . Отпишусь на Али .
Спасибо за статью .

Зачем покупать, их полно в безперебойниках, называемых UPS.

Чё то выгорели они у меня на преобразователе. 12/550. Ватт 400 выжал 2 шт ставил irf3205. Работали но не долго.

Купил на алике преобразователь 12v-220v, 500 вт взорвались эти сраные тразисторы, купил новые, та же хрень.

Вот появился вопрос, на сколько он открывается при сигнала 3.3я V и сколько V я получаю на выходе при, допустим 5V на входе ?

В даташите напряжение затвор-исток указано 10в. А здесь 20в ?

Первая страница даташита, первая таблица: Absolute Maximum Ratings, параметр: Gate-to-Source Voltage, значение ± 20V.
Вы где увидели 10в?

Источник

Полевой транзистор irf3205 параметры

Наименование прибора: IRF3205

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 110 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 146(max) nC

Время нарастания (tr): 101 ns

Выходная емкость (Cd): 781 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008 Ohm

IRF3205 Datasheet (PDF)

..1. irf3205pbf.pdf Size:215K _international_rectifier

PD-94791BIRF3205PbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDVDSS = 55Vl Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 8.0mGl Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeID = 110ASDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to achievee

..2. irf3205.pdf Size:92K _international_rectifier

PD-91279EIRF3205HEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 8.0mG Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 110A SDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistan

..3. irf3205 .pdf Size:97K _international_rectifier

PD-91279EIRF3205HEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 8.0mG Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 110A SDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistan

PD-94791BIRF3205PbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDVDSS = 55Vl Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 8.0mGl Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeID = 110ASDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to achievee

..5. irf3205.pdf Size:450K _first_silicon

SEMICONDUCTORIRF3205TECHNICAL DATAN-Channel Power MOSFET (55V/120A) PurposeSuited for low voltage applications such as automotive, DC/DC Converters, and high efficiency switching for power management in portable and battery operated productsFeatureLow RDS(on),low gate charge,low Crss,fast switching. Absolute maximum ratings(Ta=25) Parameter Symbol Rating Unit 1.Gate

..6. irf3205.pdf Size:246K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205IIRF3205FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 8.0mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM R

PD — 95129AIRF3205ZPbFIRF3205ZSPbFIRF3205ZLPbFFeaturesl Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceDl 175C Operating TemperatureVDSS = 55Vl Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 6.5ml Lead-FreeGDescriptionID = 75ASThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve e

0.2. auirf3205zstrl.pdf Size:330K _international_rectifier

PD — 97542AUTOMOTIVE GRADEAUIRF3205ZAUIRF3205ZSFeatures Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance 175C Operating Temperature DV(BR)DSS55V Fast SwitchingRDS(on) max.6.5m Repetitive Avalanche Allowed up toTjmaxGID (Silicon Limited) 110A Lead-Free, RoHS CompliantS Automotive Qualified *ID (Package Li

0.3. irf3205lpbf irf3205spbf.pdf Size:280K _international_rectifier

PD — 95106IRF3205SPbFIRF3205LPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDVDSS = 55Vl Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 8.0mGl Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeID = 110ASDescriptinAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques t

0.4. irf3205s.pdf Size:160K _international_rectifier

PD — 94149IRF3205S/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 8.0mG Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 110A SDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-res

0.5. irf3205z.pdf Size:181K _international_rectifier

PD — 94653AUTOMOTIVE MOSFETIRF3205ZHEXFET Power MOSFETFeaturesD Advanced Process TechnologyVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance 175C Operating TemperatureRDS(on) = 6.5m Fast SwitchingG Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID = 75ASDescriptionSpecifically designed for Automotive applications, this HEXFET PowerMOSFET utilizes the latest

PD — 95129AIRF3205ZPbFIRF3205ZSPbFIRF3205ZLPbFFeaturesl Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceDl 175C Operating TemperatureVDSS = 55Vl Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 6.5ml Lead-FreeGDescriptionID = 75ASThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve e

0.7. auirf3205.pdf Size:205K _infineon

PD — 97741AUTOMOTIVE GRADEAUIRF3205FeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Planar TechnologyDl Low On-ResistanceV(BR)DSS55Vl Dynamic dV/dT RatingRDS(on) max.8.0ml 175C Operating TemperatureGl Fast SwitchingID (Silicon Limited)110Al Fully Avalanche RatedSID (Package Limited)75Al Repetitive Avalanche Allowedup to Tjmaxl Lead-Free, RoHS Complian

PD — 95106IRF3205SPbFIRF3205LPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDVDSS = 55Vl Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 8.0mGl Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeID = 110ASDescriptinAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques t

PD — 94653BIRF3205ZAUTOMOTIVE MOSFETIRF3205ZSIRF3205ZLFeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 55V 175C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 6.5mGDescriptionID = 75ASpecifically designed for Automotive applications,Sthis HEXFET Power MOS

AUIRF3205Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRF3205ZS HEXFET Power MOSFET Features VDSS 55V Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance RDS(on) max. 6.5m 175C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 110A Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 75A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified *

RoHS IRF3205 Series RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsN-Channel Power MOSFET(110A, 55Volts)DESCRIPTION The Nell IRF3205 is a three-terminal silicon device with current conduction capabilityDDof 110A, fast switching speed, low on-stateresistance, breakdown voltage rating of 55V,and max. threshold voltage of 4 volts. They are designed as an extremely efficient

0.12. irf3205zs.pdf Size:258K _inchange_semiconductor

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205ZSFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vol

0.13. irf3205strlpbf.pdf Size:206K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205STRLPBFDESCRIPTIONDrain Current I =110A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 55V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS .Designed for high current, high speed switching, switchmode power supplies.ABSOLUTE MAXIMU

0.14. irf3205s.pdf Size:206K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205SDESCRIPTIONDrain Current I =110A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 55V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS .Designed for high current, high speed switching, switchmode power supplies.ABSOLUTE MAXIMUM RATI

0.15. irf3205z.pdf Size:246K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205ZIIRF3205ZFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 6.5mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM

Источник

Вам понравится:  Как работает усилитель тока на транзисторе
Оцените статью
Частотные преобразователи
Adblock
detector